中國(guó)科學(xué)院微電子研究所成立于1958年，通過(guò)長(zhǎng)期不懈的努力，已成為國(guó)內(nèi)微電子領(lǐng)域最重要的研發(fā)機(jī)構(gòu)之一。為了加強(qiáng)學(xué)科的發(fā)展，現(xiàn)誠(chéng)聘相關(guān)專業(yè)“百人計(jì)劃”研究人員。

一、招聘崗位及崗位職責(zé)

(一)、率先行動(dòng)百人計(jì)劃學(xué)術(shù)帥才(a類)

硅器件與電路技術(shù)學(xué)術(shù)帶頭人1人：負(fù)責(zé)硅器件與集成電路方向的戰(zhàn)略布局和研究方向攻關(guān)，負(fù)責(zé)項(xiàng)目的調(diào)研、組織、申報(bào)及執(zhí)行，負(fù)責(zé)科研成果的推廣及產(chǎn)業(yè)化，負(fù)責(zé)協(xié)調(diào)并解決各項(xiàng)工作中的問(wèn)題，負(fù)責(zé)該方向研究生的培養(yǎng)與管理等。

物聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵技術(shù)學(xué)術(shù)帶頭人1人：負(fù)責(zé)物聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵技術(shù)的戰(zhàn)略布局和研究方向攻關(guān)，負(fù)責(zé)項(xiàng)目的調(diào)研、組織、申報(bào)及執(zhí)行，負(fù)責(zé)科研成果的推廣及產(chǎn)業(yè)化，負(fù)責(zé)協(xié)調(diào)并解決各項(xiàng)工作中的問(wèn)題，負(fù)責(zé)該方向研究生的培養(yǎng)與管理等。信息源:免費(fèi)招聘網(wǎng)_www.rcxx.com_淘才招聘網(wǎng)

(二)、率先行動(dòng)百人計(jì)劃技術(shù)英才(b類)

三維存儲(chǔ)器器件研究正高級(jí)工程師1人：負(fù)責(zé)三維存儲(chǔ)器器件特性特別是存儲(chǔ)性能和可靠性特性優(yōu)化等關(guān)鍵技術(shù)的研究和應(yīng)用，開(kāi)展三維存儲(chǔ)器新型結(jié)構(gòu)、材料和相關(guān)工藝模塊的研發(fā);器件特性和器件可靠性評(píng)估方法的標(biāo)準(zhǔn)化制定;器件建模和計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)，打造一支具有較高技術(shù)水平的專業(yè)存儲(chǔ)器器件研發(fā)隊(duì)伍。信息源:免費(fèi)人才網(wǎng)_www.rcxx.com_淘才招聘網(wǎng)

高可靠器件研究正高級(jí)工程師1人：負(fù)責(zé)高可靠cmos工藝trench溝槽和sti等隔離工藝和可靠性特性優(yōu)化等關(guān)鍵技術(shù)的研究和應(yīng)用,開(kāi)展高可靠cmos器件新型結(jié)構(gòu)和相關(guān)工藝模塊的研發(fā), 開(kāi)展高可靠cmos器件esd保護(hù)新結(jié)構(gòu)和新工藝模塊的研發(fā);開(kāi)展器件特性和器件可靠性評(píng)估方法的標(biāo)準(zhǔn)研究;進(jìn)行器件建模和計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)，打造一支具有較高技術(shù)水平專業(yè)的高可靠mos器件研發(fā)隊(duì)伍。

(三)、率先行動(dòng)百人計(jì)劃青年俊才(c類)

1、中國(guó)科學(xué)院eda中心

該研發(fā)中心主要研究方向?yàn)椋合冗M(jìn)集成電路設(shè)計(jì)及eda技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)架構(gòu)與核心芯片研發(fā)、網(wǎng)絡(luò)化產(chǎn)業(yè)公共服務(wù)平臺(tái)。是中國(guó)科學(xué)院面向全院集成電路與系統(tǒng)設(shè)計(jì)領(lǐng)域科研與教育的網(wǎng)絡(luò)化公共平臺(tái)，面向全國(guó)開(kāi)展技術(shù)服務(wù)。

2、集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心

該研發(fā)中心圍繞集成電路先導(dǎo)工藝技術(shù)研究，致力于cmos前沿工藝及其它硅基集成電路相關(guān)技術(shù)研究，是我國(guó)集成電路前沿研究領(lǐng)域的中堅(jiān)力量，已做出了多項(xiàng)代表國(guó)家集成電路工藝研究水平的成果，擁有凈化面積約3000平米的8英寸和4英寸先導(dǎo)工藝研發(fā)平臺(tái)，其中8英寸研發(fā)線采用工業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的工藝設(shè)備，并在多個(gè)關(guān)鍵模塊上擁有特色工藝能力。

3、系統(tǒng)封裝與集成研發(fā)中心

該研發(fā)中心主要從事先進(jìn)電子封裝與集成技術(shù)的研究與開(kāi)發(fā)。主要研究方向包括：系統(tǒng)封裝設(shè)計(jì)研究、中道晶圓級(jí)封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝基板技術(shù)、先進(jìn)微組裝技術(shù)、可靠性與失效分析研究、光互連集成技術(shù)。

4、中科新芯三維存儲(chǔ)器研發(fā)中心

該研發(fā)中心主要從事存儲(chǔ)器架構(gòu)與集成技術(shù)研究、存儲(chǔ)器器件與可靠性技術(shù)研究、存儲(chǔ)器模型模擬技術(shù)研究、存儲(chǔ)器測(cè)試表征技術(shù)研究、存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)技術(shù)研究。

5、通信與信息工程研發(fā)中心

該研發(fā)中心主要面向智能工業(yè)、智能醫(yī)療和智能電網(wǎng)等核心應(yīng)用領(lǐng)域，開(kāi)展mems紅外傳感器設(shè)計(jì)、低功耗處理器芯片、電力線與物聯(lián)網(wǎng)通信芯片、高速接口ip核、高性能數(shù)?；旌蟟p核、智能傳感器接口與預(yù)處理電路、高精度微波空間感知技術(shù)以及生物光電傳感器系統(tǒng)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)。

6、新能源汽車電子研發(fā)中心

該研發(fā)中心主要圍繞新能源汽車電子核心技術(shù)，開(kāi)展車載衛(wèi)星導(dǎo)航芯片、電池管理芯片、高可靠圖像傳感器芯片、大規(guī)模soc芯片設(shè)計(jì)，智能輔助駕駛、新能源汽車電控技術(shù)、車聯(lián)網(wǎng)整體解決方案等研究。

7、健康電子研發(fā)中心

該研發(fā)中心主要開(kāi)展微電子與生物醫(yī)學(xué)跨學(xué)科協(xié)同創(chuàng)新，通過(guò)核心芯片與器件、移動(dòng)醫(yī)療終端以及健康管理系統(tǒng)研發(fā)，推出普惠式健康管理產(chǎn)品及整體解決方案;具體研發(fā)內(nèi)容包括，腫瘤細(xì)胞捕獲與檢測(cè)技術(shù)、基因測(cè)序技術(shù)、生物傳感器與芯片實(shí)驗(yàn)室系統(tǒng)、心電圖在線分析系統(tǒng)、遠(yuǎn)程聯(lián)合診療平臺(tái)、超寬帶微波共焦成像技術(shù)等。

8、智能感知研發(fā)中心

該研發(fā)中心主要面向智能工業(yè)、智能醫(yī)療和智能電網(wǎng)等核心應(yīng)用領(lǐng)域，開(kāi)展mems紅外傳感器設(shè)計(jì)、低功耗處理器芯片、電力線與物聯(lián)網(wǎng)通信芯片、高性能數(shù)?；旌蟟p核、智能傳感器接口與預(yù)處理電路、高精度微波空間感知技術(shù)以及生物光電傳感器系統(tǒng)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)。

9、硅器件與集成研發(fā)中心

該研發(fā)中心面向半導(dǎo)體硅基器件及集成電路研究，主要開(kāi)展高可靠硅基集成電路、高可靠vdmos器件、高可靠igbt器件、高可靠霍爾電路、高可靠存儲(chǔ)器電路、高可靠接口電路和soc電路等方向的研發(fā)工作。

10、高頻高壓期間與集成研發(fā)中心

該研發(fā)中心的主要研究方向包括：gan功率器件與mmic研究、inp基高頻、高速器件與電路研究、寬禁帶電力電子器件研究、超高速數(shù)模混合電路研究、硅基高遷移率ge/iii-v cmos技術(shù)研究、新型高效太陽(yáng)能電池技術(shù)研究、新型石墨烯電子器件研究。

11、微電子儀器設(shè)備研發(fā)中心

該研發(fā)中心的主要研究方向包括：新型集成電路制造與測(cè)試裝備、新型太陽(yáng)能電池制造技術(shù)和裝備、高效率led制造技術(shù)和裝備、光學(xué)檢測(cè)裝備、mems加工技術(shù)、裝備及關(guān)鍵的射頻功率源系統(tǒng)技術(shù)。

12、微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室圍繞微電子學(xué)科前沿和產(chǎn)業(yè)面臨的基礎(chǔ)問(wèn)題，開(kāi)展1)新結(jié)構(gòu)新材料存儲(chǔ)和邏輯、2)新材料、新原理多功能融合的信息器件、3)納米集成技術(shù)的基礎(chǔ)問(wèn)題，三個(gè)研究方向相關(guān)關(guān)聯(lián)、互為支撐。

二、 應(yīng)聘條件

1、a類應(yīng)具有在海外知名大學(xué)、國(guó)際知名科研機(jī)構(gòu)或企業(yè)擔(dān)任教授及相當(dāng)職位的任職經(jīng)歷;在本學(xué)科領(lǐng)域有較深的學(xué)術(shù)造詣，具有廣泛的國(guó)際學(xué)術(shù)影響力，受到國(guó)際同行的普遍認(rèn)可;年富力強(qiáng)，具有領(lǐng)軍才能和團(tuán)隊(duì)組織能力。符合中國(guó)科學(xué)院率先行動(dòng)“百人計(jì)劃”管理實(shí)施細(xì)則規(guī)定的招聘條件。詳細(xì)情況可登錄(http://www.pe.cas.cn/)網(wǎng)站介紹。

2、b類應(yīng)為掌握關(guān)鍵技術(shù)，在海外從事工程技術(shù)類研發(fā)，或從事重大科學(xué)裝置建設(shè)、儀器設(shè)備研發(fā)等相關(guān)工作3年(含)以上的中青年杰出人才;能夠解決關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題、推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，并取得過(guò)一流成果。符合中國(guó)科學(xué)院率先行動(dòng)“百人計(jì)劃”管理實(shí)施細(xì)則規(guī)定的招聘條件。詳細(xì)情況可登錄(http://www.pe.cas.cn/)網(wǎng)站介紹。

3、c類應(yīng)為具有博士學(xué)位，在海外知名大學(xué)、科研機(jī)構(gòu)等學(xué)習(xí)或工作3年(含)以上的優(yōu)秀青年人才，特別優(yōu)秀的，海外學(xué)習(xí)或工作年限可適當(dāng)放寬;在本研究領(lǐng)域已嶄露頭角，做出過(guò)具有突出創(chuàng)新思想的研究成果;具有優(yōu)良的科技創(chuàng)新潛質(zhì)和較好的團(tuán)隊(duì)協(xié)作能力;申報(bào)時(shí)取得博士學(xué)位時(shí)間未超過(guò)5年。符合中國(guó)科學(xué)院率先行動(dòng)“百人計(jì)劃”管理實(shí)施細(xì)則規(guī)定的招聘條件。詳細(xì)情況可登錄(http://www.pe.cas.cn/)網(wǎng)站介紹。

三、應(yīng)聘材料

1)個(gè)人簡(jiǎn)歷，填寫(xiě)<<中國(guó)科學(xué)院率先行動(dòng)“百人計(jì)劃”申請(qǐng)表/備案表>>(可從http://www.pe.cas.cn/下載)。

2)發(fā)表的論著目錄、論著引用情況及3～5篇代表性論文。

3)相關(guān)證明材料(已取得的重要科研成果(含專利)證明、國(guó)內(nèi)外任職情況證明、最高學(xué)位證書(shū)、身體健康狀況證明等)。

4)3位教授級(jí)國(guó)內(nèi)外同行專家的推薦信。

5)對(duì)開(kāi)展應(yīng)聘學(xué)科科研工作的設(shè)想、計(jì)劃和要求。

四、聘期福利待遇

1)聘任相應(yīng)專業(yè)技術(shù)崗位。

2)到崗后提供50-70萬(wàn)元科研啟動(dòng)經(jīng)費(fèi);通過(guò)院“百人計(jì)劃”擇優(yōu)支持評(píng)審可獲得中科院科研經(jīng)費(fèi)的專項(xiàng)經(jīng)費(fèi)資助。

五、聯(lián)系方式

聯(lián)系人：王雷、白璐

電 話：010-82995540/010-82995699 傳 真：010-62021601

地 址：北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào) 微電子研究所 人事處

郵政編碼：100029

e-mail：wanglei@ime.ac.cn/bailu@ime.ac.cn

網(wǎng) 址：http://www.ime.cas.cn/

原標(biāo)題：中科院微電子所2016年度率先行動(dòng)“百人計(jì)劃”招聘啟事
信息源:免費(fèi)發(fā)布招聘信息_www.rcxx.com_免費(fèi)招聘網(wǎng)